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贵州反并联可控硅模块厂家 淄博正高电气供应

2023/9/18 15:39:06发布40次查看
可控硅模块特点:
1 对耐压级别的选择:通常把vdrm(断态重复峰值电压)和vrrm(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压,贵州反并联可控硅模块厂家。
2 对电流的确定:由于双向可控硅模块通常用在交流电路中,因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时,可控硅承受断态重复峰值电压vdrm和反向重复峰值电压vrrm 时的峰值电流应小于器件规定的idrm和irrm。
3 对通态电压vtm的选择:它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗,贵州反并联可控硅模块厂家,应尽可能选择vtm小的可控硅。
4 对维持电流:ih是维持可控硅模块保持通态所必 需的小主电流,它与结温有关,结温越高,则ih越小,贵州反并联可控硅模块厂家。
5 对电压上升率的:dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了a2与g之间会存在寄生电容。淄博正高电气有限公司欢迎朋友们指导和业务洽谈。贵州反并联可控硅模块厂家
您知道可控硅模块的导通条件是什么吗?
可控硅模块导通的条件是阳承受正电压,只有当正向触发电压时,可控硅才能导通。由门级施加的正向触发脉冲的较小宽度应使阳电流达到维持直通状态所需的较小的阳电流,即高于电流il。可控硅导通后的电压降很小。
接通可控硅模块的条件是将流过可控硅模块的电流减小到较小的值,即保持电流ih。有两种方法:
1.将正电压降低至数值,或添加反向阳电压。
2.增加负载电路中的电阻。
以上是可控硅模块的导通状态,希望能帮助您贵州反并联可控硅模块厂家淄博正高电气有限公司产品畅销国内。
双向可控硅第 一阳a1与第二阳a2间,无论所加电压性是正向还是反向,只要控制g和第 一阳a1间加有正负性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。此时a1、a2间压降也约为1v。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。只有当第 一阳a1、第二阳a2电流减小,小于维持电流或a1、a2间当电压性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。
淄博正高电气有限公司,生产各类规格型号的晶闸管智能模块、固态继电器模块、桥臂模块、整流桥模块、各类控制柜和配套模块使用的触发板、控制板等产品,真诚期待与各公司和采购人员的合作,提供价格低廉、质量可靠的电子元件。
可控硅是p1n1p2n2四层三端结构元件,共有三个pn结,分析原理时,可以把它看作由一个pnp管和一个npn管所组成。当阳a加上正向电压时,bg1和bg2管均处于放大状态。此时,如果从控制g输入一个正向触发信号,bg2便有基流ib2流过,经bg2放大,其集电电流ic2=β2ib2。因为bg2的集电直接与bg1的基相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经bg1放大,于是bg1的集电电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到bg2的基,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。
由于bg1和bg2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制g的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化地理位置优越,交通十分便利。
可控硅模块的用途
可控硅模块具有硅整流器件的特性,相当于或类似于可控制的单向(或双向)二管,利用其可控功能,实现了弱电流对强电的控制。此外,晶闸管具有体积小、结构简单、功能强、重量轻、效率高、控制灵活等优点。晶闸管可用于下列过程:
1、可控整流:将交流电转换成可调直流电;
2、逆变器:将直流电转换成交流电;
3、变频:将一个频率的交流电转换为另一个频率的交流电或可调频率的交流电;
4、交流调压:将固定交流电压转换为有效值可调的交流电压;
5、斩波:将固定直流电压转换为平均可调直流电压;
6、无触点通断:用无触点开关代替交流接触器实现开关控制。淄博正高电气有限公司诚信、尽责、坚韧。贵州反并联可控硅模块厂家
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过电压会对可控硅模块造成损坏,如果要想保护可控硅不受其损坏,就要了解过电压的产生原因,从而去避免防止受损,下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏?以及过电压产生的原因。
可控硅模块对过电压非常敏感,当正向电压超过udrm值时,可控硅会误导并导致电路故障;当施加的反向电压超过urrm值时,可控硅模块会立即损坏。因此,需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。
过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化,使系统转换太晚,或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现,由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型,如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰,对可控硅模块非常危险。
贵州反并联可控硅模块厂家
淄博正高电气有限公司创立于2011-01-06,总部位于山东省淄博市,是一家可控硅模块,晶闸管模块,晶闸管智能模块,可控硅集成模块,晶闸管集成模块,可控硅触发板,电力调整器,固态继电器,智能可控硅调压模块,晶闸管调压模块,可控硅模块厂家,可控硅智能调压模块,移相触发板,调压模块,晶闸管智能调压模块,单相触发板的公司。公司自2011-01-06成立以来,投身于可控硅模块,晶闸管智能模块,触发板,电力调整器,是电子元器件的主力军。公司致力于把技术上的创新展现成对用户产品上的贴心,为用户带来至体验。正高电气供应创始人窦新勇,始终关注客户,以优化创新的科技,竭诚为客户提供好的服务。
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