可控硅模块的作用和优势大家都知道，它的应用范围是非常广的，在不同设备上的使用方法也是不一样的，那么在整流电路中可控硅模块的使用方法是什么呢？下面正高来讲一下在整流电路中可控硅模块的使用方法。
在正弦交流电压u2的正半周期间，如果vs的控制没有输入触发脉冲ug，vs仍然不能导通，只有在u2处于正半周，在控制外加触发脉冲ug时，青海双向可控硅模块配件，可控硅模块被触发导通，青海双向可控硅模块配件。只有在触发脉冲ug到来时，负载rl上才有电压ul输出ug到来得早，可控硅模块导通的时间就早；ug到来得晚，青海双向可控硅模块配件，可控硅模块导通的时间就晚。淄博正高电气有限公司产品畅销国内。青海双向可控硅模块配件
可控硅模块特点：
1 对耐压级别的选择：通常把vdrm(断态重复峰值电压)和vrrm(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。
2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压vdrm和反向重复峰值电压vrrm 时的峰值电流应小于器件规定的idrm和irrm。
3 对通态电压vtm的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择vtm小的可控硅。
4 对维持电流：ih是维持可控硅模块保持通态所必 需的小主电流，它与结温有关，结温越高，则ih越小。
5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了a2与g之间会存在寄生电容。青海双向可控硅模块配件淄博正高电气有限公司始终以适应和促进发展为宗旨。
实际上，可控硅模块元件的结温不容易直接测量，因此不能用它作为是否超温的判据。通过控制模块底板的温度（即壳温tc）来控制结温是一种有效的方法。由于pn结的结温tj和壳温tc存在着一定的温度梯度，知道了壳温也就知道了结温，而相当高壳温tc是限定的，由产品数据表给出。借助温控开关可以很容易地测量到与散热器接触处的模块底板温度（温度传感元件应置于模块底板温度相当高的位置）。从温控天关测量到的壳温可以判断模块的工作是否正常。若在线路中增加一个或两个温度控制电路，分别控制风机的开启或主回路的通断（停机），就可以有效地晶闸管模块在额定结温下正常工作。
需要指出的是，温控开关测量到的温度是模块底板表面的温度，易受环境、空气对流的影响，与模块和散热器的接触面上的温度tc，还有一定的差别（大约低几度到十几度），因此其实际控制温度应低于规定的tc值。用户可以根据实际情况和经验决定控制的温度。
满足可控硅模块工作的必要条件：
（1）+12v直流电源：可控硅模块内部控制电路的工作电源。
①可控硅模块输出电压要求：+12v电源：12±0.5v ，纹波电压小于20mv 。
②可控硅模块输出电流要求：标称电流小于500安培产品：i+12v＞0.5a，标称电流大于500安培产品：i+12v＞ 1a。
（2）可控硅模块控制信号：0～10v或4～20ma控制信号，用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正接con10v或con20ma，负接gnd1。
（3）可控硅模块供电电源和负载：供电电源一般为电网电源，电压460v以下的或者供电变压器，接可控硅模块的输入端子；负载为用电器，接可控硅模块的输出端子。淄博正高电气有限公司凭借多年的经验，依托雄厚的科研实力。
任何的东西都有其使用的寿命，可控硅也不例外，可控硅模块使用时间长了，它的温度就会升高，如果温度过高就容易损坏，并且降低使用寿命，这就需要大家来看看可控硅模块的升温方法：
1 可控硅模块环境温度的测定：在距被测可控硅模块表面1.5m处放置温度计，温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高，温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响，环境温度数值的读取与工作温度数值的读取应同时进行。
2 可控硅模块温升按下式计算：式中：δt--可控硅模块的温升(℃)。
3 可控硅模块工作温度的测定：被测可控硅模块温升的测定，通常与减速机的承载能力及传动效率测定同时进行，也可单独进行，被测减速机在符合规定时，读取它在额定转速、额定输入功率下的工作温度
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双向可控硅晶闸管使用中，应特别注意以下事项：
1.灵敏度
双向可控硅是一个三端元件，但我们不再称其两为阴阳，而是称作t1和t2，g为控制，其控制上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制导通，但是触发灵敏度互不相同，即双向可控硅能进入导通状态的较小门电流igt是有区别的。
2.可控硅过载的保护
可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为元件正常工作，需有条件：
（1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制将不起作用；
（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按较大电流的1.5~2倍来取；
（3）为控制可靠触发，加到控制的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以。
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