类别：n渠道增强型场效应晶体管
特点：
vds=20v，rds（on）=40mω @vgs=4.5v，id=5.0a
vds=20v，rds（on）=60mω@vgs=2.5v，id=4.0a
vds=20v，rds（on）=75mω @vgs=1.8v，id=1.0a
额定值（ta = 25°c）
漏源电压：20v
栅源电压：±10v
连续漏极电流（tj=125°c）：3.8a
脉冲漏极电流：15a
功率耗散：1.25w
热阻，结点到周围：100°c/w
工作结点和存储温度范围：-55~150°c
深圳瑞天微科技有限公司
13828783144
中国 深圳